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本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，In...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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