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本实用新型公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一...
该专利属于湖南正芯微电子探测器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南正芯微电子探测器有限公司授权不得商用。

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