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本发明涉及一种对向靶反应溅射制备外延Mn4N薄膜的方法，结构为Mn4N/MgO。所述Mn4N/MgO结构为：在MgO(001)单晶基片上外延生长了Mn4N薄膜，外延Mn4N薄膜的制备方法是采用反应溅射法成功制备出外延Mn4N薄膜。具有靶材选...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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