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一种改进的碳化硅原料合成方法技术
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下载一种改进的碳化硅原料合成方法的技术资料
文档序号:28207981
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本申请公开了一种改进的碳化硅原料合成方法。本申请主要涉及生长单晶用SiC粉料合成工艺研发的技术领域,主要通过在合成碳化硅原料所用的碳粉和硅粉混合物中加入聚四氟乙烯,利用聚四氟乙烯的纯化作用,达到提高合成碳化硅原料纯度的目的;首先聚四氟乙烯加...
该专利属于国宏中宇科技发展有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过国宏中宇科技发展有限公司授权不得商用。
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