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片上电容的建模方法技术
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文档序号:28145705
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本发明提供了一种片上电容的建模方法,所述电容为插指电容,包括如下步骤:提取主电容拟合系数,并计算主电容;提取拐角电容拟合系数,并计算拐角电容;提取边缘寄生电容拟合系数,并计算边缘寄生电容;提取版图寄生电容;反馈验证。本发明针对集成电路片上电...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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