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本发明公开了一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用，其制备方法是采用真空热蒸镀的方式在电极表面依次蒸镀酞菁铜有机半导体、小分子铁电体和酞菁铜有机半导体薄膜，形成金属/有机半导体/小分子铁电体层/有机半导体/金属的器件结构。其中所述电极为...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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