一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用，其制备方法是采用真空热蒸镀的方式在电极表面依次蒸镀酞菁铜有机半导体、小分子铁电体和酞菁铜有机半导体薄膜，形成金属/有机半导体/小分子铁电体层/有机半导体/金属的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体，所述小分子铁电层为高氯酸胍和四乙基高氯酸胺小分子铁电体。本发明专利技术所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗，低串扰等优点。其制备方法操作步骤简单，成本低，易于实施，并且安全、环保。环保。环保。

【技术实现步骤摘要】
一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及人工突触器件制备
，特别是一种基于有机半导体和小分子铁电的两端光电人工突触器件的制备方法。

技术介绍

[0002]由于生物神经突触的大部分信息都是通过电信号的形式进行传递，所以以往的神经突触器件中，突触的连接强度是通过施加电信号来改变的。但是电刺激信号存在着一些缺点，比如由于带宽连接密度的限制，模拟神经突触器件的操作速度将受到极大的限制。因此近来有人尝试引入光刺激信号来改善这种限制，此外由于光脉冲信号具有低串扰和低功耗的优点，因此可以成为提升计算速度的有利选择。而且生物突触也是可以接受光刺激信号的，在光遗传研究中，光可以控制由基因修饰的神经突触。
[0003]2017年，Guo和他的课题组成员制备了基于ZnOx/AlOy忆阻器件的光电人工神经突触。在有光照和没有光照的情况下都可以观察到类似的记忆切换行为。SET和RESET过程分别发生在正偏差和负偏差。在此，SET是从高电阻状态(HRS或OFF状态)到低电阻状态(LRS或ON状态)切换。紫外光照射后，器件的电流随本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刺激两端人工突触器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：对下电极进行清洗将下电极放入去离子水中超声1～3分钟，然后放入丙酮溶液中超声1～3分钟，再放入异丙醇中超声1～3分钟，最后将下电极放入真空干燥箱中干燥；步骤2：蒸镀有机半导体层在步骤1所得到的下电极上热蒸镀一层酞菁铜有机半导体层；将酞菁铜材料放入真空热蒸发仪中的石英坩埚里，当真空蒸发腔体的真空度在1
×
10
‑5～1
×
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‑4Pa之间时，将材料逐渐蒸发到下电极上；蒸镀的厚度通过真空热蒸发腔体内部的频率晶振片实时监控；步骤3：蒸镀小分子铁电体层在步骤2所制得的酞菁铜有机半导体薄膜上采用真空热蒸发仪在真空度在1
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‑5～1
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‑4Pa之间时热蒸镀一层小分子铁电体层；步骤4：再次蒸镀有机半导体层在步骤3所得到的小分子铁电体层上再热蒸镀一层酞菁铜有机半导体层；将酞菁铜材料放入真空热蒸发仪中的石英坩埚里，当真空蒸发腔体...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗春花，张尧迪，蒋纯莉，彭晖，钟妮，林和春，田博博，段纯刚，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：