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本发明涉及一种低钳位电压ESD防护结构及其制备方法。本发明包括P型衬底、N型外延层、PWELL区、第一N+接触区、N+齐纳接触区、第一P+接触区和第二N+接触区，P型衬底上方为N型外延层，PWELL区和第二N+接触区位于N型外延层内部上方，...
该专利属于西安翔腾微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安翔腾微电子科技有限公司授权不得商用。

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