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本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种屏蔽栅功率器件及其制备方法，通过在外延层中的深槽内形成不同高度的第一源极多晶硅和第二源极多晶硅，并在第一源极多晶硅上形成第一绝缘介质层，在第一绝缘介质层两侧形成栅极多晶硅，从而减小栅极多晶硅与源极多晶...
该专利属于无锡先瞳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡先瞳半导体科技有限公司授权不得商用。

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