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本发明提供了一种用于制备光学ZnS材料的CVD设备，包括沉积炉主体以及分隔设置于沉积炉主体内部的第一炉体和第二炉体；第一炉体设置有第一坩埚和沉积腔，第二炉体设置有第二坩埚和投料装置，第一坩埚用于盛放锌，第二坩埚用于盛放硫，投料装置用于向第二...
该专利属于北京中材人工晶体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中材人工晶体研究院有限公司授权不得商用。

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