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本发明提供一种具有典型长颗粒形貌、富含层错和孪晶的碳化硅晶须陶瓷及其制备方法。以β
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该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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