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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，由于至少一个依次堆叠键合在半导体基底上半导体结构中的半导体芯片，外围设置有环绕半导体芯片的绝缘层，且绝缘层中形成有子导热结构，子导热结构用于构成在键合方向上延伸的导热结构，并使导热结构一端与位于半导体...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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