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本发明属于陶瓷管制备技术领域，具体涉及一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法。采用热激发式化学气相沉积(CVD)系统，沉积基体选择氧化铝陶瓷管或石墨管，气体体系选择六甲基二硅烷(HMDS)、H2、Ar，在工作压强10～1000Pa和温度...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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