一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法技术

本发明专利技术属于陶瓷管制备技术领域，具体涉及一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法。采用热激发式化学气相沉积(CVD)系统，沉积基体选择氧化铝陶瓷管或石墨管，气体体系选择六甲基二硅烷(HMDS)、H2、Ar，在工作压强10～1000Pa和温度650～1350℃条件下沉积，通过去除氧化铝陶瓷管或石墨管之后，得到结构致密、不同内外径的碳化硅管，用于制作腐蚀介质的换热器管、耐磨损水流喷管以及其它高温环境器件等。等。

【技术实现步骤摘要】
一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法


[0001]本专利技术属于陶瓷管制备
，具体涉及一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法。

技术介绍

[0002]碳化硅具有耐高温、耐腐蚀、抗热震性能、导热系数大以及抗氧化好等优点，因此广泛应用于有色金属锻炼、各种热处理炉、冶金化工等领域，此外碳化硅还具有高强度、高硬度和高耐磨性等优异的力学性能，其硬度仅次于金刚石、碳化硼，在气体、在液体高速输送环境中，可以高效稳定的使用。制备碳化硅管最重要的是保证其致密度，目前普遍采用热压法制备碳化硅管，存在结晶度不高、致密度不够、脱模困难缺点。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，解决碳化硅管致密度不高的问题，采用本专利技术制备过程可控，碳化硅管容易脱出。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，该方法选用氧化铝陶瓷管或石墨管为基体，气体体系为HMDS
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，其特征在于，该方法选用氧化铝陶瓷管或石墨管为基体，气体体系为HMDS
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Ar，具体包括以下步骤：(1)对氧化铝陶瓷管或者石墨管内壁进行超声清洗处理5～15min，清洗剂为酒精或者丙酮；(2)将氧化铝陶瓷管或者石墨管放入沉积腔体中，沉积时气体体系仅通过氧化铝陶瓷管或者石墨管的中心孔；(3)开始沉积SiC，六甲基二硅烷液体流量为0.1～3g/min，H2的流量为100～1000sccm，Ar流量为1000～6000sccm，沉积温度为650～1350℃，工作压强为10～1000Pa，沉积时间为30min～100h，所获管材为碳化硅管。2.按照权利要求1所述的采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，其特征在于，HMDS

【专利技术属性】
技术研发人员：唐明强，刘厚盛，崔新宇，王吉强，沈艳芳，熊天英，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：