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用于垂直场效应晶体管的对称二维鳍结构和制造其的方法技术
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文档序号:28052423
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本发明构思提供了一种制造垂直场效应晶体管(VFET)的鳍结构的方法和通过该方法制造的鳍结构。所述方法包括:(a)图案化下层和沉积在下层上的上层,以形成分别在彼此垂直的两个方向上延伸的两个图案;(b)沿着下层和上层的通过图案化暴露的侧壁在所述...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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