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本公开的一些实施例提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；设置在所述第一氮化物半导体层上的欧姆接...
该专利属于英诺赛科(苏州)半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(苏州)半导体有限公司授权不得商用。

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