半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开的一些实施例提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；设置在所述第一氮化物半导体层上的欧姆接触；以及邻近所述欧姆接触的侧壁设置的间隔件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本公开涉及一种半导体装置，具体涉及一种包含高电子迁移率晶体管(HEMT)的半导体装置。
技术介绍
包含直接带隙的半导体组件，例如，包含III-V材料或III-V化合物的半导体元件，由于其特性，可以在各种条件或环境(例如，不同的电压或频率)下工作。前述半导体组件可包含HEMT，异质结双极晶体管(HBT)，异质结场效应晶体管(HFET)或调制掺杂场效应晶体管(MODFET)。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；设置在所述第一氮化物半导体层上的欧姆接触；以及邻近所述欧姆接触的侧壁设置的间隔件。本公开的一些实施例提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；设置在所述第一氮化物半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n基板；/n设置在所述基板上的第一氮化物半导体层；/n第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；/n设置在所述第一氮化物半导体层上的欧姆接触；以及/n与所述欧姆接触的侧壁相邻设置的间隔件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：
基板；
设置在所述基板上的第一氮化物半导体层；
第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；
设置在所述第一氮化物半导体层上的欧姆接触；以及
与所述欧姆接触的侧壁相邻设置的间隔件。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中由所述欧姆接触和所述间隔件限定空隙。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述欧姆接触的所述侧壁和所述间隔件的表面之间限定空隙。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述欧姆接触的所述侧壁具有相对粗糙的表面。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中与所述欧姆接触的所述侧壁相邻的所述间隔件的表面具有相对光滑的表面。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中与所述欧姆接触的所述侧壁相邻的所述间隔件的第一表面具有比所述间隔件的第二表面相对粗糙的表面。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述间隔件的所述第一表面大体上(substantially)与所述欧姆接触的所述侧壁接触。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔件具有凸面。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括设置在所述第二氮化物半导体层和所述间隔件之间的第一钝化层。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中由所述欧姆接触、所述间隔件和所述第一钝化层限定空隙。


11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中在所述欧姆接触的所述侧壁、所述间隔件的表面和所述第一钝化层的表面之间限定空隙。


12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述欧姆接触的所述侧壁具有相对粗糙...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铭宏，饶剑，张玉龙，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32