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具有电容耦合到浮栅的栅极的存储器单元的编程制造技术
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下载具有电容耦合到浮栅的栅极的存储器单元的编程的技术资料
文档序号:28048781
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一种存储器设备,该存储器设备具有存储器单元,每个存储器单元包括:源极区和漏极区,该源极区和漏极区之间具有沟道区;浮栅,该浮栅处于第一沟道区部分上方;选择栅,该选择栅处于第二沟道区部分上方;控制栅,该控制栅处于浮栅上方;和擦除栅,该擦除栅处于...
该专利属于硅存储技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过硅存储技术股份有限公司授权不得商用。
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