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SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法技术
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下载SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法的技术资料
文档序号:28047981
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该SiC单晶,穿过俯视中心并沿着<1‑100>方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述<1‑100>方向的<11‑20>方向切断的切断面中的原子排列面,向同一方向弯曲。...
该专利属于昭和电工株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过昭和电工株式会社授权不得商用。
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