SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法技术

该SiC单晶，穿过俯视中心并沿着<1‑100>方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述<1‑100>方向的<11‑20>方向切断的切断面中的原子排列面，向同一方向弯曲。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法
本专利技术涉及SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法。本申请基于2018年8月13日在日本提出的特愿2018-152391号要求优先权，将其内容援引于此。
技术介绍
碳化硅(SiC)与硅(Si)相比，绝缘破坏电场大一个数量级，带隙大3倍。另外，碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比热传导性高3倍左右等特性。碳化硅(SiC)被期待应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。在半导体等器件中，使用在SiC晶片上形成了外延膜的SiC外延晶片。通过化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition：CVD)在SiC晶片上设置的外延膜，成为SiC半导体器件的活性区域。因此，要求没有裂纹等破损、缺陷少的高品质SiC晶片。再者，本说明书中SiC外延晶片是指形成外延膜后的晶片。本说明书中SiC晶片是指形成外延膜前的晶片。例如，专利文献1记载了通过使晶片的翘曲量和晶体取向的偏移量在预定范围内，会使形成在SiC晶片上的外延膜变得良好。另外，专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC单晶，/n穿过俯视中心并沿着<1-100>方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述<1-100>方向的<11-20>方向切断的切断面中的原子排列面，向同一方向弯曲。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180813 JP 2018-1523911.一种SiC单晶，
穿过俯视中心并沿着<1-100>方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述<1-100>方向的<11-20>方向切断的切断面中的原子排列面，向同一方向弯曲。


2.根据权利要求1所述的SiC单晶，
在沿着穿过俯视中心并以[1-100]方向为基准多次旋转且每次旋转30°而得的6条边切断的各个切断面中，原子排列面向同一方向弯曲。


3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶，
在任意的切断面中，原子排列面向同一方向弯曲。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC单晶，
所述原子排列面的每单位长度的弯曲量的最大值与最小值之差为4μm/cm以下。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC单晶，
穿过俯...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口骏介，藤川阳平，鹰羽秀隆，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP