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本公开提供了一种功率MOSFET及其制造方法和电子设备。所述功率MOSFET包括：硅衬底以及所述硅衬底上的硅外延层；多个沟槽，间隔排列且形成在所述硅外延层内；源极多晶硅，形成在所述多个沟槽下部内且被场氧层包围；栅极多晶硅，形成在所述多个沟槽...
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