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本发明涉及一种GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，包括形成外延结构，在p‑GaN层上沉积钝化层，对钝化层进行蚀刻，仅保留用于形成栅极的p‑GaN区域上方的钝化区域，对p‑GaN层的进行热分解，直至除p‑GaN区域以外的所有p‑Ga...
该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。

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