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本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法，通过在半导体衬底和层间介质层之间设置阻挡层阻，可以在刻蚀层间介质层形成场板孔时使得场板孔刻蚀停止于阻挡层阻上。通过在阻挡层与漂移区之间设置第一氧化层，可以使得阻挡层表面形成台阶。由于阻挡层具有至少一...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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