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本发明提供一种存储单元结构，通过形成沿第一方向覆盖部分所述有源区表面的有源介质层，所述有源介质层延伸至相邻的浅沟槽隔离结构的部分表面；下电极层，位于所述有源介质层两侧，且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸覆盖所述浅沟槽隔离结构的表面；在所述...
该专利属于上海微阱电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微阱电子科技有限公司授权不得商用。

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