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本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括基底、复合膜层和第一导电插塞；复合膜层位于基底表面，复合膜层由N层导体层与M层拓扑绝缘体层交错层叠构成，拓扑绝缘体层包括非导电区域及位于非导电区域外围的导电区域，其中，N与M均为大...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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