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本发明提供一种沟槽隔离结构的制备方法，其中所形成的第一氮化层，不仅能作为沟槽隔离结构的一部分起到辅助隔离的效果，还在去除第一氧化层时作为刻蚀阻挡层，避免衬底被刻蚀，保护沟槽的形貌。且为避免HARP对第二区域中后续形成的PMOS的迁移率造成影...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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