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由扫描电子显微镜(SEM)的电子束扫描半导体装置。区域包括具有顶部开口和侧壁的三维(3D)特征。在改变所述电子束的能量值时，对所述3D特征进行成像。所述电子束撞击在所述半导体装置的所选择的区域内的第一点处并与所述侧壁进行相互作用，其中所述第...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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