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本发明公开了一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片，包括衬底层，衬底层上设置有半导体层，半导体层由层叠的若干半导体子层构成，半导体层顶部设置源极、漏极和栅极，所述栅极位于源极和漏极之间，源极与栅极之间、漏极与栅极之间分别存在空隙，形成两...
该专利属于成都挚信电子技术有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都挚信电子技术有限责任公司授权不得商用。

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