一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片，包括衬底层，衬底层上设置有半导体层，半导体层由层叠的若干半导体子层构成，半导体层顶部设置源极、漏极和栅极，所述栅极位于源极和漏极之间，源极与栅极之间、漏极与栅极之间分别存在空隙，形成两个栅极侧壁区；在至少一个栅极侧壁区设置辅助栅极，辅助栅极通过空气桥或埋入式辅助栅极实现。本发明专利技术的开关芯片开关时不需要经过栅极、漏极的LC网络充放电过程抵消表面电荷和界面陷阱静电势对沟道电流的阻碍，具有速度快、隔离度高、寿命长、宽带特性好、低功耗、高效率等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片
本专利技术涉及半导体领域，尤其是一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片。
技术介绍
微波开关在收发模块等现代通信系统中有广泛应用。现有微波开关有两种技术：一种是机械开关，用电控制机械臂通断来控制微波通道的开关；另一种是芯片开关，用电控制芯片中晶体管的通断来控制微波通道的开关。机械开关相比于芯片开关的优势：隔离度高，可达60dB以上隔离度，而芯片开关只能达到20dB左右。因此机械开关广泛应用于仪器仪表等需要高隔离度、高灵敏度、精密测量等领域。芯片开关相比于机械开关的优势：体积小，易于集成，开关速度快。芯片开关一个晶体管只有100微米左右尺度，便于在芯片上多个开关级联，以及和其他控制电路和微波电路集成。这点机械开关是做不到的。而且由于芯片开关是电控芯片晶体管通断来实现微波开关功能，因此速度要远高于机械开关。机械开关切换需要100毫秒左右，而芯片开关可以实现10ms以内的切换速度。因此芯片开关广泛应用于多通道收发芯片/模块、5G、Wifi等对体积和集成度要求较高的现代通信系统中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片，包括衬底层，所述衬底层上设置有半导体层，所述半导体层由层叠的若干半导体子层构成，所述半导体层顶部设置源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极与所述栅极之间、所述漏极与所述栅极之间分别存在空隙，形成两个栅极侧壁区；其特征在于，在至少一个所述栅极侧壁区设置辅助栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片，包括衬底层，所述衬底层上设置有半导体层，所述半导体层由层叠的若干半导体子层构成，所述半导体层顶部设置源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极与所述栅极之间、所述漏极与所述栅极之间分别存在空隙，形成两个栅极侧壁区；其特征在于，在至少一个所述栅极侧壁区设置辅助栅极。


2.如权利要求1所述的新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片，其特征在于，在所述栅极侧壁区设置的空气桥形成所述辅助栅极。


3.如权利要求2所述的新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片，其特征在于，所述辅助栅极从栅级引出电路同侧、对侧或者上部引出。


4.如权利要求1所述的新型高速高隔离度pHEMT...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永锋，殷玉喆，刘伟，何力，
申请(专利权)人：成都挚信电子技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51