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本发明公开了一种基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管，SOI衬底的顶层硅通过刻蚀形成纳米线结构、源区和漏区，纳米线结构表面覆盖有相变栅介质层，相变栅介质层上侧设置有第二绝缘栅介质层；第二绝缘栅介质层一端上侧设置有主栅电极，主栅电极通过第一...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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