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本发明提供一种三维存储器件及其形成方法，本发明将存储单元与控制单元键合，然后在控制单元的衬底背面键合另一存储单元，实现至少三个单元的键合。由此实现晶圆级的键合，工艺更加简单，并且能够在增加存储层数的同时有效解决应力问题，使结构更加稳固，减少...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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