温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种存储单元及其制造方法、3D NAND存储器及其制造方法，在堆叠结构中形成栅线缝隙，通过该栅线缝隙去除堆叠结构中的部分牺牲层，保留在第一方向上具有一定宽度的牺牲层，由这些保留的牺牲层及其对应的堆叠的绝缘层形成存储区块之间的隔离结...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。