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本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，所该三维存储器结构包括半导体层，包括沿第一方向依次设置的核心区域、台阶区域及外围区域；底部选择栅堆叠结构，形成于所述半导体层上；介质支撑结构，位于所述台阶区域内，所述介质支撑结构依次贯穿所述底部选择...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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