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存储结构、三维存储器及其制造方法技术
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文档序号:27980489
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本发明提供一种存储结构、三维存储器及其制造方法,将用来划分相邻两个块结构的栅线分隔槽去掉,仅保留对块结构内部进行区划的栅线分隔槽,去除伪栅极层时会保留部分,保留的伪栅极层形成了隔离结构,通过该隔离结构可区划隔绝不同的块结构;保留的伪栅极层将...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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