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垂直场效应晶体管半导体单元的优化制造技术
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文档序号:27980484
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一种在多个栅极栅格上实施垂直场效应晶体管(VFET)电路的VFET单元,包括:第一电路,包括至少一个VFET,并被提供在至少一个栅极栅格上;以及第二电路,包括至少一个VFET,并被提供在形成于第一电路的左侧或右侧的至少一个栅极栅格上,其中第...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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