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本发明公开了一种防护型半导体器件，涉及半导体器件，解决了在高电压或大功率下防护型半导体器件的响应速度不够快、鲁棒性和可靠性不强的技术问题，其技术方案要点是包括N型衬底区，在N型衬底区的底部设置有P型阳极区，N型衬底区的顶部设有P型基区，第P...
该专利属于南京芯舟科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京芯舟科技有限公司授权不得商用。

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