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本发明涉及碳化硅晶片刻蚀技术领域，具体涉及一种碳化硅刻蚀工艺腔体装置及使用方法，包括晶片定位环、边缘环、聚集环、静电盘及绝缘环，绝缘环的内部设置有下电极，下电极与外部的第一射频电源电性连接，绝缘环的顶端固定连接有下水盘，下水盘的上表面开设有...
该专利属于无锡邑文电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡邑文电子科技有限公司授权不得商用。

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