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本发明公开了一种SiC半导体器件及其制备方法，该器件包括衬基、第一缓冲层、漂移层、外延层、漏栅源区、第二缓冲层、耐压层及贯通区于外延区的贯通区，通过增加同材料的垫底及外延层的氧化层，可隔离与保护衬底或外延层，并减少衬垫氧化层出现潜在缺陷的概...
该专利属于陈小建所有，仅供学习研究参考，未经过陈小建授权不得商用。

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