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该发明涉及半导体器件及其制备方法，其中所述半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成堆叠结构，用于形成底栅；从所述堆叠结构上表面，沿垂直所述衬底上表面向下的方向形成标记槽，所述标记槽贯穿所述堆叠结构，并深入至所述衬底内部...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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