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本发明公开一种用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，包含多条位线沿着第一方向延伸越过下方多个双晶体管静态随机存取存储器，其中每条该位线由多个沿着该第一方向延伸的第一部位与第二部位交互电连接而成，该些第一部位与该些第二部位分别位于一第一介...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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