用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构制造技术

本发明专利技术公开一种用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，包含多条位线沿着第一方向延伸越过下方多个双晶体管静态随机存取存储器，其中每条该位线由多个沿着该第一方向延伸的第一部位与第二部位交互电连接而成，该些第一部位与该些第二部位分别位于一第一介电层与一第二介电层，且每条该位线的该些第一部位对应相邻位线的该些第二部位。

【技术实现步骤摘要】
用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构
本专利技术涉及集成电路中的位线结构，更具体言之，其涉及一种具有双层且交互排列设计的位线结构。
技术介绍
近年来手机与随身盘等电子产品的发展对于高存储密度的存储器有越来越多的需求。这些现有的存储器包含动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、以及非挥发性存储器(NVM)等。非挥发性存储器可包含只读存储器(ROM)、电子抹除式可复写只读存储器(EEPROM)、以及闪存存储器(FLASH)等。在传统的电容器在位线下(CUB)的存储器架构中，位线是以最小化的线与间距的设计规则被制作在电容单元上方的同一层金属层(如第二金属层M2)中。如此，每组位线对(BL与BL-)以及相邻的位线之间会有耦合电容存在。位线与位线之间的耦合噪声是SRAM存储单元设计中最重要的问题之一，存储在电容单元中的信号电荷必须要够大才能够让信号在极差的耦合环境下为感测放大器所感测到。如果能完全消除位线噪声，其所需存储在电容单元中的电荷将可以大量的降低。现在业界有数种降低位线耦合噪声的做法，例如在位线之间插入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，其特征在于，包含多条位线平行排列且沿着第一方向延伸越过下方多个双晶体管静态随机存取存储器的金属-绝缘体-金属电容、n型晶体管以及p型晶体管；/n其中每条该位线由多个沿着该第一方向延伸的第一部位与第二部位交互电连接而成，该些第一部位与该些第二部位分别位于第一介电层与第二介电层，该第二介电层位于该第一介电层上，且每条该位线的该些第一部位分别对应相邻位线的该些第二部位。/n

【技术特征摘要】
20191002 TW 1081356131.一种用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，其特征在于，包含多条位线平行排列且沿着第一方向延伸越过下方多个双晶体管静态随机存取存储器的金属-绝缘体-金属电容、n型晶体管以及p型晶体管；
其中每条该位线由多个沿着该第一方向延伸的第一部位与第二部位交互电连接而成，该些第一部位与该些第二部位分别位于第一介电层与第二介电层，该第二介电层位于该第一介电层上，且每条该位线的该些第一部位分别对应相邻位线的该些第二部位。


2.根据权利要求1所述的用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，其中该位线的该些第一部位与该些第二部位经由位于该第二介电层的导通结构电连接。


3.根据权利要求1所述的用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，其中该第一部位为第二金属层，该第二部位为第三金属层，该金属-绝缘体-金属电容的上电极连接到第一金属层。


4.根据权利要求3所述的用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，其中该些双晶体管静态随机存取存储器的该上电极所连接的该第一金属层沿着与该第一方向垂直的第二方向延伸经...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾培修，魏易玄，林家佑，张守仁，林琪伟，林宏勋，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71