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本发明题为“半导体熔丝结构以及制造该半导体熔丝结构的方法”。一种具有熔丝结构的半导体器件包括具有主表面的半导体材料区域。介电区域位于主表面上方。第一熔丝端子位于介电区域的第一部分上方，第二熔丝端子位于介电区域的第二部分上方，并且与第一熔丝端...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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