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本发明公开一种厚转接板结构,包括第一硅片层,其上设置有第一通孔,第一通孔表面形成有第一金属层;第一重布线层,电连接至第一金属层,其上设置有第一外接焊盘;第二硅片层,其上设置有第二通孔,第二通孔表面形成有第二金属层,第二金属层点连接至第一金属...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种厚转接板结构,包括第一硅片层,其上设置有第一通孔,第一通孔表面形成有第一金属层;第一重布线层,电连接至第一金属层,其上设置有第一外接焊盘;第二硅片层,其上设置有第二通孔,第二通孔表面形成有第二金属层,第二金属层点连接至第一金属...