温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片，包括：提供至少一调整晶圆，所述调整晶圆具有衬底以及自一贯穿开口延伸以贯穿所述衬底的硅通孔，所述硅通孔中填充有互连层，所述互连层具有拉伸应力；在所述调整晶圆的临近所述贯穿开口的一侧表面形成第一高压缩...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。