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一种微纳半导体器件的打印式构筑方法技术
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文档序号:27940745
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本发明公开了一种微纳半导体器件的打印式构筑方法:(1)在衬底上沉积材料源和栅极金属材料;(2)在材料源表面施加纳米级的强电场,并控制强电场进行移动,强电场附近的材料源在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下,会在沿强电场空间运动轨迹上,形成相应...
该专利属于河南大学所有,仅供学习研究参考,未经过河南大学授权不得商用。
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