一种微纳半导体器件的打印式构筑方法技术

本发明专利技术公开了一种微纳半导体器件的打印式构筑方法：(1)在衬底上沉积材料源和栅极金属材料；(2)在材料源表面施加纳米级的强电场，并控制强电场进行移动，强电场附近的材料源在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下，会在沿强电场空间运动轨迹上，形成相应的稳定纳米结构；(3)根据需要构筑的微纳半导体器件的形状重复步骤(2)，使强电场诱导生长的纳米结构空间接触，形成异质结或同质结；(4)在异质结或同质结上沉积栅极电介质材料；(5)在栅极金属材料表面施加强电场，并控制强电场进行移动，在沿强电场空间运动轨迹上形成与栅极电介质材料接触的栅极电极结构；(6)沉积电极。本发明专利技术降低了3D微纳结构器件的构筑成本。

【技术实现步骤摘要】
一种微纳半导体器件的打印式构筑方法
本专利技术涉及微纳半导体器件
，特别是涉及一种微纳半导体器件的打印式构筑方法。
技术介绍
半导体集成电路和元器件3D超集成的发展趋势对pn结及晶体管制备技术提出了更多的要求，传统的晶体管制备方法依赖于投影式光刻技术，通过掩膜、局部离子注入掺杂、金属电极(栅极、源极和漏极)制备pn结及晶体管。基于光刻的制备方法步骤繁琐复杂、需要多步的图形传输对准和极其严格的实验条件，缺乏灵活性，仪器设备价格昂贵等，虽然也能实现相应的作用及功能，显然不够便捷，成本高，并不适用于3D微/纳半导体器件制备，及3D超集成领域半导体元器件之间及堆叠层之间的垂直电互联。因此，发展新型、便捷的、具有立体特征的半导体器件打印式构筑方法，对于当前半导体器件制备及集成电路领域3D超集成的发展趋势具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种微纳半导体器件的打印式构筑方法，以解决上述现有技术存在的问题，降低3D微纳结构器件的构筑成本。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：本专利技术提供了一种微本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微纳半导体器件的打印式构筑方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在衬底上沉积材料源和栅极金属材料，所述材料源的材料为半导体材料，所述材料源的大小根据需要构筑的微纳半导体器件的大小确定；/n(2)在所述材料源表面施加纳米级的强电场，并控制所述强电场进行移动，所述强电场附近的材料源在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下，会在沿所述强电场空间运动轨迹上，形成相应的稳定纳米结构；/n(3)根据需要构筑的所述微纳半导体器件的形状重复步骤(2)，使所述强电场诱导生长的纳米结构空间接触，形成异质结或同质结；/n(4)在所述异质结或所述同质结上沉积栅极电介质材料；/n(5)在所述栅极金属材料表面施加...

【技术特征摘要】
1.一种微纳半导体器件的打印式构筑方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在衬底上沉积材料源和栅极金属材料，所述材料源的材料为半导体材料，所述材料源的大小根据需要构筑的微纳半导体器件的大小确定；
(2)在所述材料源表面施加纳米级的强电场，并控制所述强电场进行移动，所述强电场附近的材料源在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下，会在沿所述强电场空间运动轨迹上，形成相应的稳定纳米结构；
(3)根据需要构筑的所述微纳半导体器件的形状重复步骤(2)，使所述强电场诱导生长的纳米结构空间接触，形成异质结或同质结；
(4)在所述异质结或所述同质结上沉积栅极电介质材料；
(5)在所述栅极金属材料表面施加所述强电场，并控制所述强电场进行移动，所述强电场附近的栅极金属材料在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下，在沿所述强电场空间运动轨迹上形成栅极电极结构，并使所述栅极电极结构与步骤(4)中的栅极电介质材料接触；
(6)在经步骤(5)得到的结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光红，黄晓伟，贾瑜，杜祖亮，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：河南;41