温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体器件，包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电...
该专利属于住友电工光电子器件创新株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电工光电子器件创新株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。