半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件，包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，其中，所述晶体管形成在所述衬底上的第一区域中，并且所述MIM电容器和所述氧化硅基膜形成在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域中。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请是2019年5月27日提交的申请号为201910445078.7、专利技术名称为“制造半导体器件的方法”之申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2018年5月29日提交的日本申请No.JP2018-102475的优先权，其全部内容通过引用被合并在此。
本公开涉及一种制造半导体器件的方法。
技术介绍
当形成高电子迁移率晶体管(HEMT)时，可以提供多层电容器。例如，在日本未经审查的专利公开No.2014-56887中，制造具有被设置在半导体基板上的下电极、介电膜、和上电极的金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器(MIM电容器)的方法被公开。在日本未经审查的专利公开No.2014-56887中，通过在紧挨着MIM电容器的下方形成氧化硅基膜，能够实现MIM电容器中的漏电流的减小等。去除不与MIM电容器重叠的氧化硅基膜的一部分。例如，当形成包括基板上的场板的场效应晶体管和日本未经审查的专利公开No.2014-56887中公开的MIM电容器时，场板设置在覆盖场效应晶体管的绝缘膜上。绝缘膜从氧化硅基膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；/n覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；/n在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及/n在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，/n其中，所述晶体管形成在所述衬底上的第一区域中，并且所述MIM电容器和所述氧化硅基膜形成在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域中。/n

【技术特征摘要】
20180529 JP 2018-1024751.一种半导体器件，包括：
在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；
覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；
在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及
在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，
其中，所述晶体管形成在所述衬底上的第一区域中，并且所述MIM电容器和所述氧化硅基膜形成在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域中。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野拓真，丸山智己，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP