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本发明提供一种3D NAND存储器件的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一堆叠结构，第一堆叠结构包括交替层叠的第一绝缘层和第一牺牲层，部分第一牺牲层中掺杂有氧；在第一堆叠结构中形成贯穿第一堆叠结构的第一沟道孔。由于部分第一牺牲层中掺杂...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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