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一种DDR SDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片制造方法及图纸
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文档序号:27936664
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本申请提供了一种DDR SDRAM通道的优化方法、装置和存储芯片,所述方法包括:获取DDR SDRAM设计文件;获得用于描述设计文件中的DDR SDRAM通道的无源通道描述模型;根据无源通道描述模型,计算当前DDR SDRAM通道的通道裕量...
该专利属于新华三半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过新华三半导体技术有限公司授权不得商用。
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